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微电子与集成电路设计导论第2版：集成电路基础PPT教学课件.pptx

微电子与集成电路设计导论—— 第五章集成电路基础——01 集成电路概述 02 数字集成电路03 双极型与 BiCMOS 04 模拟集成电路05 集成电路版图设计 06 专业设计工具07 大规模集成基础 08 现代设计方法学主要内容01集成电路概述集成电路概述01 技术核心核心在于“微型化”与“系统化”。实现了信息处理、运算存储等复杂功能的高度集成，是电子设备的“大脑中枢”。02 产业价值作为现...

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微电子与集成电路设计导论第2版：半导体集成电路制造工艺PPT教学课件.pptx

微电子与集成电路设计导论—— 第四章半导体集成电路制造工艺——01 光刻02 掺杂技术03 制膜技术04 互连、隔离、封装主要内容01单晶生长与衬底制备半导体材料与硅的选择自然界中硅的含量极为丰富，但不能直接拿来用。因为硅在自然界中都是以化合物的形式存在的。一般生长单晶硅的技术称之为柴克拉斯基法，即从熔融的硅材料中生长单晶硅。半导体工业中所用的单晶硅大部分都是用此法制造。用于硅、锗、锑化铟等半导...

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集成电路制造技术与实践：质认证及智慧制造系统PPT教学课件.pptx

第 15 章品质认证及智慧制造系统第 15 章品质认证及智慧制造系统15.1 集成电路 FAB品质认证体系15.2 集成电路 FAB结构及设计简介15.3 集成电路 FAB智慧制造系统本章小结第 15 章品质认证及智慧制造系统15.1 集成电路 FAB 品质认证体系15.1.1 ISO9001 质量管理体系标准简介 ISO9001 是由全球第一个质量管理体系标准 BS5750 转化而来的，于...

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集成电路制造技术与实践：绪论PPT教学课件.pptx

第 1 章绪论第 1 章绪论1.1 集成电路技术的重要性1.2 世界半导体与集成电路发展的里程碑1.3 中国半导体与集成电路的发展历程1.4 摩尔定律1.5 集成电路制造典型企业本章小结第 1 章绪论1.1 集成电路技术的重要性集成电路 (integratedcircuit ， IC) 是信息技术与产业的基石，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是培育发展战略性新...

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集成电路制造技术与实践：先进的集成工艺PPT教学课件.pptx

第 13 章先进的集成工艺第 13 章先进的集成工艺13.1 阱工艺13.2 浅槽隔离(STI)工艺13.3 栅极工艺13.4 源漏工艺13.5 自对准金属硅化物工艺13.6 接触孔与通孔工艺13.7 金属互连工艺本章小结第 13 章先进的集成工艺13.1 阱工艺13.1.1 阱工艺技术的原理和流程 1. 阱工艺原理阱工艺的原理是通过掺杂工艺，在衬底中形成具有特定掺杂类型 (N 型、 ...

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集成电路制造技术与实践：物理气相淀积(PVD)工艺PPT教学课件.pptx

第 6 章物理气相淀积 (PVD) 工艺第 6 章物理气相淀积 (PVD) 工艺6.1 真空蒸发工艺6.2 溅射工艺6.3 PVD工艺应用6.4 PVD工艺进展本章小结第 6 章物理气相淀积 (PVD) 工艺6.1 真空蒸发工艺 1. 真空蒸发系统及工艺过程在真空蒸发工艺过程中，蒸发源在真空条件下受热形成原子或分子蒸气流，随后蒸气流扩散至衬底表面凝结形成薄膜。真空蒸发工艺具有设备简单、操...

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集成电路制造技术与实践：外延工艺PPT教学课件.pptx

第 8 章外延工艺第 8 章外延工艺8.1 外延生长原理8.2 外延工艺应用8.3 外延工艺仿真8.4 外延工艺进展本章小结第 8 章外延工艺8.1 外延生长原理8.1.1 外延工艺的种类 1. 按外延层与衬底材料的类型分类如果外延层与衬底为同种材料，则称为同质外延，例如在 Si 衬底上外延Si 、在 GaN 衬底上外延 GaN 等。如果外延层与衬底材料在化学组分或者晶体结构方面存在差异，...

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集成电路制造技术与实践：热氧化工艺PPT教学课件.pptx

第 4 章热氧化工艺第 4 章热氧化工艺4.1 二氧化硅薄膜4.2 热氧化方法4.3 薄氧化层生长4.4 热氧化工艺仿真4.5 热氧化工艺进展本章小结第 4 章热氧化工艺4.1 二氧化硅薄膜4.1.1 二氧化硅薄膜的基本结构与性质图 4-1-1 为二氧化硅 (SiO2) 的基本结构。图 4-1-1(a) 所示的 Si-O 四面体结构是二氧化硅的基本单元，其由 4 个位于顶角的氧原子和 1 ...

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集成电路制造技术与实践：离子注入工艺PPT教学课件.pptx

第 5 章离子注入工艺第 5 章离子注入工艺5.1 离子注入基本原理5.2 离子注入设备结构5.3 离子注入工艺参数5.4 离子注入浓度分布5.5 离子注入沟道效应5.6 离子注入损伤与退火5.7 离子注入工艺应用5.8 离子注入工艺仿真本章小结第 5 章离子注入工艺5.1 离子注入基本原理5.1.1 离子注入工艺原理离子注入的原理是：低温下将具有动量的带电离子注入硅晶圆的特定区域，从而实...

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集成电路制造技术与实践：刻蚀工艺PPT教学课件.pptx

第 10 章刻蚀工艺第 10 章刻蚀工艺10.1 刻蚀工艺概述10.2 湿法刻蚀10.3 干法刻蚀10.4 先进的原子层刻蚀技术10.5 刻蚀工艺仿真本章小结第 10 章刻蚀工艺10.1 刻蚀工艺概述10.1.1 刻蚀的基本概念及分类将光刻工艺形成的光刻胶图形转移到晶圆表面的各种薄膜上，形成最终的器件图形或集成电路结构图形，这就是刻蚀工艺。刻蚀工艺示意图如图 10-1-1所示。第 10 章...

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集成电路制造技术与实践：金属化工艺PPT教学课件.pptx

第 11 章金属化工艺第 11 章金属化工艺11.1 金属化材料11.2 金属化工艺本章小结第 11 章金属化工艺11.1 金属化材料现代集成电路对于金属化材料的要求包括： (1) 电阻率低：能够传导高电流密度。 (2) 黏附性好：能够黏附下层衬底，实现很好的电连接，且半导体与金属连接时接触电阻低。 (3) 易于淀积：容易成膜。 (4) 易于图形化：对下层衬底有着高选择比，且易于平...

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集成电路制造技术与实践：化学气相淀积(CVD)工艺PPT教学课件.pptx

第 7 章化学气相淀积 (CVD) 工艺第 7 章化学气相淀积 (CVD) 工艺7.1 CVD的过程与模型7.2 CVD系统7.3 CVD应用7.4 CVD工艺仿真7.5 CVD工艺进展本章小结第 7 章化学气相淀积 (CVD) 工艺7.1 CVD 的过程与模型7.1.1 CVD 的过程图 7-1-1 给出了 CVD 反应室剖面图及 CVD 基本过程，主要工艺步骤包括： (1) 传输 ( ...

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集成电路制造技术与实践：化学机械平坦化(CMP)工艺PPT教学课件.pptx

第 12 章化学机械平坦化 (CMP) 工艺第 12 章化学机械平坦化 (CMP) 工艺12.1 CMP工艺原理、技术优势与挑战12.2 CMP工艺的关键材料及辅助工具.12.3 CMP工艺应用12.4 CMP工艺控制12.5 CMP设备本章小结第 12 章化学机械平坦化 (CMP) 工艺12.1 CMP 工艺原理、技术优势与挑战12.1.1 CMP 工艺原理 CMP 工艺原理是：氧化剂氧...

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集成电路制造技术与实践：硅晶圆清洗工艺PPT教学课件.pptx

第 3 章硅晶圆清洗工艺第 3 章硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物3.2 清洗工艺的分类3.3 清洗设备的分类及发展趋势3.4 清洗工艺的常见技术缺陷本章小结第 3 章硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物 1. 颗粒物聚合物、光刻胶以及刻蚀过程中产生的杂质是颗粒物的主要成分。这些成分通常附着在硅基底表面，对后续工艺的几何精度和电性能产生不利影响。颗粒与硅...

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集成电路制造技术与实践：硅单晶与硅晶圆的制备PPT教学课件.pptx

第 2 章硅单晶与硅晶圆的制备第 2 章硅单晶与硅晶圆的制备2.1 硅半导体的重要性2.2 硅晶体结构2.3 多晶硅的制备2.4 硅单晶的制备2.5 硅晶圆的制备2.6 硅外延片2.7 绝缘体上硅本章小结第 2 章硅单晶与硅晶圆的制备2.1 硅半导体的重要性2.1.1 我国第一根半导体单晶 1948 年，美国贝尔实验室制备了世界上第一个半导体锗单晶。 1957 年 11 月，刚刚归国不久的中...

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集成电路制造技术与实践：光刻工艺PPT教学课件.pptx

第 9 章光刻工艺第 9 章光刻工艺9.1 光刻工艺的三要素9.2 光刻工艺的重要性9.3 光刻工艺流程9.4 光刻分辨率9.5 光刻机9.6 曝光光源9.7 光刻胶9.8 光刻版9.9 先进的光刻技术本章小结第 9 章光刻工艺9.1 光刻工艺的三要素光刻工艺是通过投影和曝光，将光刻版图形转移到光刻胶上的工艺过程。由光刻工艺确定的光刻胶图形仅仅是集成电路图形的印模，还需要通过刻蚀工艺，将光...

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集成电路制造技术与实践：封装工艺PPT教学课件.pptx

第 14 章封装工艺第 14 章封装工艺14.1 封装工艺概述14.2 先进封装工艺本章小结第 14 章封装工艺14.1 封装工艺概述封装主要解决两个核心问题：一是怎样封，既能保护芯片，又能兼顾小型化、散热和低成本等；二是怎样连线，以提高连接密度和传输速度。传统封装概念是从最初的三极管直插时期开始产生的。传统封装示意图如图 14-1-1 所示。封装过程如下：将晶圆背面研磨减薄并切割为...

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