集成电路制造技术与实践：热氧化工艺PPT教学课件.pptx

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第 4 章热氧化工艺第 4 章热氧化工艺4.1 二氧化硅薄膜4.2 热氧化方法4.3 薄氧化层生长4.4 热氧化工艺仿真4.5 热氧化工艺进展本章小结第 4 章热氧化工艺4.1 二氧化硅薄膜4.1.1 二氧化硅薄膜的基本结构与性质图 4-1-1 为二氧化硅 (SiO2) 的基本结构。图 4-1-1(a) 所示的 Si-O 四面体结构是二氧化硅的基本单元，其由 4 个位于顶角的氧原子和 1 个位于中心的硅原子构成，硅、氧原子核的间距为 1.6Å ，氧、氧原子核的间距为 2.27Å 。如果顶角的氧原子连接两个 Si-O 四面体，则该氧原子称为桥键氧；否则，顶角的氧原子称为非桥键氧。桥键氧的含量不同，构成的二氧化硅结构不同，通常有结晶形结构和无定形 ( 非晶形 ) 结构两类。第 4 章热氧化工艺结晶形结构的二氧化...

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