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微电子与集成电路设计导论第2版:半导体集成电路制造工艺PPT教学课件.pptx

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微电子与集成电路设计导论—— 第四章 半导体集成电路制造工艺——01 光刻02 掺杂技术03 制膜技术04 互连、隔离、封装主要内容01单晶生长与衬底制备半导体材料与硅的选择自然界中硅的含量极为丰富,但不能直接拿来用。因为硅在自然界中都是以化合物的形式存在的。一般生长单晶硅的技术称之为柴克拉斯基法,即从熔融的硅材料中生长单晶硅。半导体工业中所用的单晶硅大部分都是用此法制造。用于硅、锗、锑化铟等半导体材料,以及氧化物和其他绝缘类型的大晶体的制备。单晶生长:直拉法( Czochralski, CZ 法)图示: CZ 法单晶生长核心设备结构左图为在一个可抽真空的腔室内置放一个由熔融石英制成的坩埚,调节好坩埚的位置,腔室回充保护性气氛,将坩埚加热至 1500°C左右。化学方法蚀刻的籽晶置于熔硅...

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