微电子与集成电路设计导论—— 第四章 半导体集成电路制造工艺——01 光刻02 掺杂技术03 制膜技术04 互连、隔离、封装主要内容01单晶生长与衬底制备半导体材料与硅的选择自然界中硅的含量极为丰富,但不能直接拿来用。因为硅在自然界中都是以化合物的形式存在的。一般生长单晶硅的技术称之为柴克拉斯基法,即从熔融的硅材料中生长单晶硅。半导体工业中所用的单晶硅大部分都是用此法制造。用于硅、锗、锑化铟等半导...
第 13 章 先进的集成工艺第 13 章 先进的集成工艺13.1 阱工艺13.2 浅槽隔离(STI)工艺13.3 栅极工艺13.4 源漏工艺13.5 自对准金属硅化物工艺13.6 接触孔与通孔工艺13.7 金属互连工艺本章小结第 13 章 先进的集成工艺13.1 阱 工 艺13.1.1 阱工艺技术的原理和流程 1. 阱工艺原理 阱工艺的原理是通过掺杂工艺,在衬底中形成具有特定掺杂类型 (N 型、 ...
第 6 章 物理气相淀积 (PVD) 工艺第 6 章 物理气相淀积 (PVD) 工艺6.1 真空蒸发工艺6.2 溅射工艺6.3 PVD工艺应用6.4 PVD工艺进展本章小结第 6 章 物理气相淀积 (PVD) 工艺6.1 真空蒸发工艺 1. 真空蒸发系统及工艺过程 在真空蒸发工艺过程中,蒸发源在真空条件下受热形成原子或分子蒸气流,随后蒸气流扩散至衬底表面凝结形成薄膜。 真空蒸发工艺具有设备简单、操...
第 8 章 外延工艺第 8 章 外延工艺8.1 外延生长原理8.2 外延工艺应用8.3 外延工艺仿真8.4 外延工艺进展本章小结第 8 章 外延工艺8.1 外延生长原理8.1.1 外延工艺的种类 1. 按外延层与衬底材料的类型分类 如果外延层与衬底为同种材料,则称为同质外延,例如在 Si 衬底上外延Si 、在 GaN 衬底上外延 GaN 等。如果外延层与衬底材料在化学组分或者晶体结构方面存在差异,...
第 4 章 热氧化工艺第 4 章 热氧化工艺4.1 二氧化硅薄膜4.2 热氧化方法4.3 薄氧化层生长4.4 热氧化工艺仿真4.5 热氧化工艺进展本章小结第 4 章 热氧化工艺4.1 二氧化硅薄膜4.1.1 二氧化硅薄膜的基本结构与性质 图 4-1-1 为二氧化硅 (SiO2) 的基本结构。图 4-1-1(a) 所示的 Si-O 四面体结构是二氧化硅的基本单元,其由 4 个位于顶角的氧原子和 1 ...
第 5 章 离子注入工艺第 5 章 离子注入工艺5.1 离子注入基本原理5.2 离子注入设备结构5.3 离子注入工艺参数5.4 离子注入浓度分布5.5 离子注入沟道效应5.6 离子注入损伤与退火5.7 离子注入工艺应用5.8 离子注入工艺仿真本章小结第 5 章 离子注入工艺5.1 离子注入基本原理5.1.1 离子注入工艺原理 离子注入的原理是:低温下将具有动量的带电离子注入硅晶圆的特定区域,从而实...
第 10 章 刻蚀工艺第 10 章 刻蚀工艺10.1 刻蚀工艺概述10.2 湿法刻蚀10.3 干法刻蚀10.4 先进的原子层刻蚀技术10.5 刻蚀工艺仿真本章小结第 10 章 刻蚀工艺10.1 刻蚀工艺概述10.1.1 刻蚀的基本概念及分类 将光刻工艺形成的光刻胶图形转移到晶圆表面的各种薄膜上,形成最终的器件图形或集成电路结构图形,这就是刻蚀工艺。刻蚀工艺示意图如图 10-1-1所示。第 10 章...
第 11 章 金属化工艺第 11 章 金属化工艺11.1 金属化材料11.2 金属化工艺本章小结第 11 章 金属化工艺11.1 金 属 化 材 料 现代集成电路对于金属化材料的要求包括: (1) 电阻率低:能够传导高电流密度。 (2) 黏附性好:能够黏附下层衬底,实现很好的电连接,且半导体与金属连接时接触电阻低。 (3) 易于淀积:容易成膜。 (4) 易于图形化:对下层衬底有着高选择比,且易于平...
第 7 章 化学气相淀积 (CVD) 工艺第 7 章 化学气相淀积 (CVD) 工艺7.1 CVD的过程与模型7.2 CVD系统7.3 CVD应用7.4 CVD工艺仿真7.5 CVD工艺进展本章小结第 7 章 化学气相淀积 (CVD) 工艺7.1 CVD 的过程与模型7.1.1 CVD 的过程 图 7-1-1 给出了 CVD 反应室剖面图及 CVD 基本过程,主要工艺步骤包括: (1) 传输 ( ...
第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺12.1 CMP工艺原理、技术优势与挑战12.2 CMP工艺的关键材料及辅助工具.12.3 CMP工艺应用12.4 CMP工艺控制12.5 CMP设备本章小结第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺12.1 CMP 工艺原理、 技术优势与挑战12.1.1 CMP 工艺原理 CMP 工艺原理是:氧化剂氧...
第 3 章 硅晶圆清洗工艺第 3 章 硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物3.2 清洗工艺的分类3.3 清洗设备的分类及发展趋势3.4 清洗工艺的常见技术缺陷本章小结第 3 章 硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物 1. 颗粒物 聚合物、光刻胶以及刻蚀过程中产生的杂质是颗粒物的主要成分。这些成分通常附着在硅基底表面,对后续工艺的几何精度和电性能产生不利影响。颗粒与硅...
第 9 章 光刻工艺第 9 章 光刻工艺9.1 光刻工艺的三要素9.2 光刻工艺的重要性9.3 光刻工艺流程9.4 光刻分辨率9.5 光刻机9.6 曝光光源9.7 光刻胶9.8 光刻版9.9 先进的光刻技术本章小结第 9 章 光刻工艺9.1 光刻工艺的三要素 光刻工艺是通过投影和曝光,将光刻版图形转移到光刻胶上的工艺过程。由光刻工艺确定的光刻胶图形仅仅是集成电路图形的印模,还需要通过刻蚀工艺,将光...
第 14 章 封装工艺第 14 章 封装工艺14.1 封装工艺概述14.2 先进封装工艺本章小结第 14 章 封装工艺14.1 封装工艺概述 封装主要解决两个核心问题: 一是怎样封,既能保护芯片,又能兼顾小型化、散热和低成本等; 二是怎样连线,以提高连接密度和传输速度。 传统封装概念是从最初的三极管直插时期开始产生的。传统封装示意图如图 14-1-1 所示。封装过程如下:将晶圆背面研磨减薄并切割为...
MODULE 06数字化工艺设计表现数字技术赋能传统工艺创新在数字化创作中传承与创新民族工艺工艺美术专业核心课程模块六CONTENTS目录本模块通过三个任务,系统培养数字化工艺设计能力,实现传统工艺与数字技术的深度融合。01数字绘图软件基础与工艺图样制作掌握二维与三维设计软件基础操作,完成工艺图样绘制02数字建模与渲染基础学习设计素材数字化提取与重构,掌握建模渲染技巧03数字作品输出与展示掌握输出...
模块三材料工艺与制作基础造物文明的智慧之旅 | 探索材料奥秘 · 研习传统工艺 · 严守安全规范模块导言:开启造物文明的智慧之旅溯源 · 认知:从材料到工艺本模块聚焦材料工艺与制作基础,系统梳理传统材料的物理特性、美学价值及深厚的文化内涵。同时,我们将深入解析中国传统工艺的核心制作流程与关键安全规范,为大家打下坚实的理论与实践基础。体悟 · 传承:构建文化自信通过“理论学习”与“实践认知”的双轨并...
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