集成电路制造技术与实践：化学气相淀积(CVD)工艺PPT教学课件.pptx

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第 7 章化学气相淀积 (CVD) 工艺第 7 章化学气相淀积 (CVD) 工艺7.1 CVD的过程与模型7.2 CVD系统7.3 CVD应用7.4 CVD工艺仿真7.5 CVD工艺进展本章小结第 7 章化学气相淀积 (CVD) 工艺7.1 CVD 的过程与模型7.1.1 CVD 的过程图 7-1-1 给出了 CVD 反应室剖面图及 CVD 基本过程，主要工艺步骤包括： (1) 传输 ( 扩散 ) ：反应剂气体从主气流区 ( 又称平流区，其中的气体流速恒定 ) 经附面层 ( 又称边界层，其中的气体流速受到扰动 ) 扩散到衬底 ( 硅片 )表面。 (2) 吸附：反应剂被吸附在衬底表面，成为吸附原子 ( 或分子 ) 。 (3) 化学反应：吸附原子 ( 或分子 ) 在衬底表面发生化学反应，生成薄膜基本元素 ( 如薄膜分子 ) 及气态副产物。第 7 ...

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