集成电路制造技术与实践：金属化工艺PPT教学课件.pptx

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第 11 章金属化工艺第 11 章金属化工艺11.1 金属化材料11.2 金属化工艺本章小结第 11 章金属化工艺11.1 金属化材料现代集成电路对于金属化材料的要求包括： (1) 电阻率低：能够传导高电流密度。 (2) 黏附性好：能够黏附下层衬底，实现很好的电连接，且半导体与金属连接时接触电阻低。 (3) 易于淀积：容易成膜。 (4) 易于图形化：对下层衬底有着高选择比，且易于平坦化。 (5) 可靠性高：延展性好、抗电迁移能力强。 (6) 抗腐蚀性能好。 (7) 应力低：可减小硅片的翘曲，避免金属线断裂、空洞。第 11 章金属化工艺11.1.1 多晶硅通常对于栅极和局部互连材料导电性的要求是薄膜材料的电阻率ρ≤60μΩ·cm ，并在工艺中具有较好的稳定性和可靠性。相较于金属 Al ，多...

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