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集成电路制造技术与实践:离子注入工艺PPT教学课件.pptx

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第 5 章 离子注入工艺第 5 章 离子注入工艺5.1 离子注入基本原理5.2 离子注入设备结构5.3 离子注入工艺参数5.4 离子注入浓度分布5.5 离子注入沟道效应5.6 离子注入损伤与退火5.7 离子注入工艺应用5.8 离子注入工艺仿真本章小结第 5 章 离子注入工艺5.1 离子注入基本原理5.1.1 离子注入工艺原理 离子注入的原理是:低温下将具有动量的带电离子注入硅晶圆的特定区域,从而实现衬底掺杂的目的。具体来说,离子注入技术首先将杂质原子经过离化变成带电的杂质离子,并使其在电场中加速,离子获得一定能量后,直接轰击到半导体基片内,进入硅片中的离子通过与靶内原子核和电子的碰撞损失能量并随机停止在离表面一定距离的位置上,从而在体内形成一定的杂质分布,起到掺杂作用。第 5 章 离子注入...

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