集成电路制造技术与实践：硅晶圆清洗工艺PPT教学课件.pptx

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第 3 章硅晶圆清洗工艺第 3 章硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物3.2 清洗工艺的分类3.3 清洗设备的分类及发展趋势3.4 清洗工艺的常见技术缺陷本章小结第 3 章硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物 1. 颗粒物聚合物、光刻胶以及刻蚀过程中产生的杂质是颗粒物的主要成分。这些成分通常附着在硅基底表面，对后续工艺的几何精度和电性能产生不利影响。颗粒与硅表面之间的黏附力虽然多样，但以范德华力为主。因此，主要的颗粒去除方法是通过物理或化学手段对颗粒进行底切，逐步削弱其与基底的黏附力，直至最终完全消失。第 3 章硅晶圆清洗工艺 2. 有机物人体皮肤分泌的油脂、洁净室内的空气、机械设备使用的润滑油、有机硅基真空油脂、光刻胶、清洗溶剂以及...

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