集成电路制造技术与实践：先进的集成工艺PPT教学课件.pptx

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第 13 章先进的集成工艺第 13 章先进的集成工艺13.1 阱工艺13.2 浅槽隔离(STI)工艺13.3 栅极工艺13.4 源漏工艺13.5 自对准金属硅化物工艺13.6 接触孔与通孔工艺13.7 金属互连工艺本章小结第 13 章先进的集成工艺13.1 阱工艺13.1.1 阱工艺技术的原理和流程 1. 阱工艺原理阱工艺的原理是通过掺杂工艺，在衬底中形成具有特定掺杂类型 (N 型、 P型 ) 和浓度的区域。这些特定区域将作为后续器件结构的基础，并决定其电性。图 13-1-1 双阱工艺结构示意图如图 13-1-1 所示，在 CMOSIC 双阱工艺中， N 阱 (N-Well) 与 P 阱 (P-Well) 工艺同时使用。 N 阱光刻版光刻形成 N 阱区域 ( 光刻胶显影区 ) ，通过 N 型离子注入在衬底上形成 N 阱， N 阱用于制作...

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