第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺12.1 CMP工艺原理、技术优势与挑战12.2 CMP工艺的关键材料及辅助工具.12.3 CMP工艺应用12.4 CMP工艺控制12.5 CMP设备本章小结第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺12.1 CMP 工艺原理、 技术优势与挑战12.1.1 CMP 工艺原理 CMP 工艺原理是：氧化剂氧...
第 3 章 硅晶圆清洗工艺第 3 章 硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物3.2 清洗工艺的分类3.3 清洗设备的分类及发展趋势3.4 清洗工艺的常见技术缺陷本章小结第 3 章 硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物 1. 颗粒物 聚合物、光刻胶以及刻蚀过程中产生的杂质是颗粒物的主要成分。这些成分通常附着在硅基底表面，对后续工艺的几何精度和电性能产生不利影响。颗粒与硅...
第 2 章 硅单晶与硅晶圆的制备第 2 章 硅单晶与硅晶圆的制备2.1 硅半导体的重要性2.2 硅晶体结构2.3 多晶硅的制备2.4 硅单晶的制备2.5 硅晶圆的制备2.6 硅外延片2.7 绝缘体上硅本章小结第 2 章 硅单晶与硅晶圆的制备2.1 硅半导体的重要性2.1.1 我国第一根半导体单晶 1948 年，美国贝尔实验室制备了世界上第一个半导体锗单晶。 1957 年 11 月，刚刚归国不久的中...
第 9 章 光刻工艺第 9 章 光刻工艺9.1 光刻工艺的三要素9.2 光刻工艺的重要性9.3 光刻工艺流程9.4 光刻分辨率9.5 光刻机9.6 曝光光源9.7 光刻胶9.8 光刻版9.9 先进的光刻技术本章小结第 9 章 光刻工艺9.1 光刻工艺的三要素 光刻工艺是通过投影和曝光，将光刻版图形转移到光刻胶上的工艺过程。由光刻工艺确定的光刻胶图形仅仅是集成电路图形的印模，还需要通过刻蚀工艺，将光...
第 14 章 封装工艺第 14 章 封装工艺14.1 封装工艺概述14.2 先进封装工艺本章小结第 14 章 封装工艺14.1 封装工艺概述 封装主要解决两个核心问题： 一是怎样封，既能保护芯片，又能兼顾小型化、散热和低成本等； 二是怎样连线，以提高连接密度和传输速度。 传统封装概念是从最初的三极管直插时期开始产生的。传统封装示意图如图 14-1-1 所示。封装过程如下：将晶圆背面研磨减薄并切割为...
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