1 搜索是人工智能中的一个基本问题,并与推理密切相关,搜索策略的优劣,将直接影响到智能系统的性能与推理效率。 4.1 搜索概述 4.1.1 搜索的含义 4.1.2 状态空间问题求解方法 4.1.3 问题归约求解方法 4.1.4 进化搜索法概述4.2 状态空间的启发式搜索4.3 与 / 或树的启发式搜索4.4 博弈树的启发式搜索4.5 遗传算法第 4 章 智能搜索技术2基于搜索空间类型A 算法A* ...
第 15 章 品质认证及智慧制造系统第 15 章 品质认证及智慧制造系统15.1 集成电路 FAB品质认证体系15.2 集成电路 FAB结构及设计简介15.3 集成电路 FAB智慧制造系统本章小结第 15 章 品质认证及智慧制造系统15.1 集成电路 FAB 品质认证体系15.1.1 ISO9001 质量管理体系标准简介 ISO9001 是由全球第一个质量管理体系标准 BS5750 转化而来的,于...
第 1 章 绪论第 1 章 绪论1.1 集成电路技术的重要性1.2 世界半导体与集成电路发展的里程碑1.3 中国半导体与集成电路的发展历程1.4 摩尔定律1.5 集成电路制造典型企业本章小结第 1 章 绪论1.1 集成电路技术的重要性 集成电路 (integratedcircuit , IC) 是信息技术与产业的基石,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业,是培育发展战略性新...
第 13 章 先进的集成工艺第 13 章 先进的集成工艺13.1 阱工艺13.2 浅槽隔离(STI)工艺13.3 栅极工艺13.4 源漏工艺13.5 自对准金属硅化物工艺13.6 接触孔与通孔工艺13.7 金属互连工艺本章小结第 13 章 先进的集成工艺13.1 阱 工 艺13.1.1 阱工艺技术的原理和流程 1. 阱工艺原理 阱工艺的原理是通过掺杂工艺,在衬底中形成具有特定掺杂类型 (N 型、 ...
第 6 章 物理气相淀积 (PVD) 工艺第 6 章 物理气相淀积 (PVD) 工艺6.1 真空蒸发工艺6.2 溅射工艺6.3 PVD工艺应用6.4 PVD工艺进展本章小结第 6 章 物理气相淀积 (PVD) 工艺6.1 真空蒸发工艺 1. 真空蒸发系统及工艺过程 在真空蒸发工艺过程中,蒸发源在真空条件下受热形成原子或分子蒸气流,随后蒸气流扩散至衬底表面凝结形成薄膜。 真空蒸发工艺具有设备简单、操...
第 8 章 外延工艺第 8 章 外延工艺8.1 外延生长原理8.2 外延工艺应用8.3 外延工艺仿真8.4 外延工艺进展本章小结第 8 章 外延工艺8.1 外延生长原理8.1.1 外延工艺的种类 1. 按外延层与衬底材料的类型分类 如果外延层与衬底为同种材料,则称为同质外延,例如在 Si 衬底上外延Si 、在 GaN 衬底上外延 GaN 等。如果外延层与衬底材料在化学组分或者晶体结构方面存在差异,...
第 4 章 热氧化工艺第 4 章 热氧化工艺4.1 二氧化硅薄膜4.2 热氧化方法4.3 薄氧化层生长4.4 热氧化工艺仿真4.5 热氧化工艺进展本章小结第 4 章 热氧化工艺4.1 二氧化硅薄膜4.1.1 二氧化硅薄膜的基本结构与性质 图 4-1-1 为二氧化硅 (SiO2) 的基本结构。图 4-1-1(a) 所示的 Si-O 四面体结构是二氧化硅的基本单元,其由 4 个位于顶角的氧原子和 1 ...
第 5 章 离子注入工艺第 5 章 离子注入工艺5.1 离子注入基本原理5.2 离子注入设备结构5.3 离子注入工艺参数5.4 离子注入浓度分布5.5 离子注入沟道效应5.6 离子注入损伤与退火5.7 离子注入工艺应用5.8 离子注入工艺仿真本章小结第 5 章 离子注入工艺5.1 离子注入基本原理5.1.1 离子注入工艺原理 离子注入的原理是:低温下将具有动量的带电离子注入硅晶圆的特定区域,从而实...
第 10 章 刻蚀工艺第 10 章 刻蚀工艺10.1 刻蚀工艺概述10.2 湿法刻蚀10.3 干法刻蚀10.4 先进的原子层刻蚀技术10.5 刻蚀工艺仿真本章小结第 10 章 刻蚀工艺10.1 刻蚀工艺概述10.1.1 刻蚀的基本概念及分类 将光刻工艺形成的光刻胶图形转移到晶圆表面的各种薄膜上,形成最终的器件图形或集成电路结构图形,这就是刻蚀工艺。刻蚀工艺示意图如图 10-1-1所示。第 10 章...
第 11 章 金属化工艺第 11 章 金属化工艺11.1 金属化材料11.2 金属化工艺本章小结第 11 章 金属化工艺11.1 金 属 化 材 料 现代集成电路对于金属化材料的要求包括: (1) 电阻率低:能够传导高电流密度。 (2) 黏附性好:能够黏附下层衬底,实现很好的电连接,且半导体与金属连接时接触电阻低。 (3) 易于淀积:容易成膜。 (4) 易于图形化:对下层衬底有着高选择比,且易于平...
第 7 章 化学气相淀积 (CVD) 工艺第 7 章 化学气相淀积 (CVD) 工艺7.1 CVD的过程与模型7.2 CVD系统7.3 CVD应用7.4 CVD工艺仿真7.5 CVD工艺进展本章小结第 7 章 化学气相淀积 (CVD) 工艺7.1 CVD 的过程与模型7.1.1 CVD 的过程 图 7-1-1 给出了 CVD 反应室剖面图及 CVD 基本过程,主要工艺步骤包括: (1) 传输 ( ...
第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺12.1 CMP工艺原理、技术优势与挑战12.2 CMP工艺的关键材料及辅助工具.12.3 CMP工艺应用12.4 CMP工艺控制12.5 CMP设备本章小结第 12 章 化学机械平坦化 (CMP) 工艺12.1 CMP 工艺原理、 技术优势与挑战12.1.1 CMP 工艺原理 CMP 工艺原理是:氧化剂氧...
第 3 章 硅晶圆清洗工艺第 3 章 硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物3.2 清洗工艺的分类3.3 清洗设备的分类及发展趋势3.4 清洗工艺的常见技术缺陷本章小结第 3 章 硅晶圆清洗工艺3.1 集成电路制造过程中的主要污染物 1. 颗粒物 聚合物、光刻胶以及刻蚀过程中产生的杂质是颗粒物的主要成分。这些成分通常附着在硅基底表面,对后续工艺的几何精度和电性能产生不利影响。颗粒与硅...
第 2 章 硅单晶与硅晶圆的制备第 2 章 硅单晶与硅晶圆的制备2.1 硅半导体的重要性2.2 硅晶体结构2.3 多晶硅的制备2.4 硅单晶的制备2.5 硅晶圆的制备2.6 硅外延片2.7 绝缘体上硅本章小结第 2 章 硅单晶与硅晶圆的制备2.1 硅半导体的重要性2.1.1 我国第一根半导体单晶 1948 年,美国贝尔实验室制备了世界上第一个半导体锗单晶。 1957 年 11 月,刚刚归国不久的中...
第 9 章 光刻工艺第 9 章 光刻工艺9.1 光刻工艺的三要素9.2 光刻工艺的重要性9.3 光刻工艺流程9.4 光刻分辨率9.5 光刻机9.6 曝光光源9.7 光刻胶9.8 光刻版9.9 先进的光刻技术本章小结第 9 章 光刻工艺9.1 光刻工艺的三要素 光刻工艺是通过投影和曝光,将光刻版图形转移到光刻胶上的工艺过程。由光刻工艺确定的光刻胶图形仅仅是集成电路图形的印模,还需要通过刻蚀工艺,将光...
第 14 章 封装工艺第 14 章 封装工艺14.1 封装工艺概述14.2 先进封装工艺本章小结第 14 章 封装工艺14.1 封装工艺概述 封装主要解决两个核心问题: 一是怎样封,既能保护芯片,又能兼顾小型化、散热和低成本等; 二是怎样连线,以提高连接密度和传输速度。 传统封装概念是从最初的三极管直插时期开始产生的。传统封装示意图如图 14-1-1 所示。封装过程如下:将晶圆背面研磨减薄并切割为...
中医美容技术项目五中医保健美容学习目标•掌握面部、头发和躯干四肢保健美容常用中医美容技术的操作方法。•熟悉面部、头发和躯干四肢保健美容的日常调护方法。•了解面部、头发和躯干四肢保健美容的概念。知识目标•能够根据顾客面部、头发和躯干四肢的实际情况,选择适宜的中医保健美容方法。•能够熟练操作用于面部、头发和躯干四肢保健美容的中医美容技术。能力目标•多读书、勤读书,在中医古籍中探索创新,结合现代需求优化...
中医美容技术项目三中药外用美容法学习目标•掌握中药外用美容法的适应证,中药外用美容方剂的常用剂型及其制备方法,以及中药面膜法、中药药浴法、中药蒸汽浴法、超声药物透入法等常用中药外用美容法的操作流程。•熟悉中药外用美容法的特点,各种常用中药外用美容方法的操作前准备、注意事项。•了解中药外用美容法的概念和作用机理,各种常用中药外用美容法的定义。知识目标学习目标•强化服务意识,以服务对象的感受及服务效果...
中医美容技术项目一针灸美容法学习目标•掌握体表解剖标志定位法和指寸定位法的分类,常用骨度折量寸表;艾灸法的分类及作用、操作方法、注意事项;耳穴探察定位方法,耳针法、三棱针法、皮肤针法、毫针刺法的操作方法、注意事项;各类针灸异常情况的表现和预防、处理措施。•熟悉艾灸法的适用范围和常用灸材,耳穴的分布规律及常用美容耳穴的定位和美容功效,三棱针法、皮肤针法、毫针刺法的适用范围,各类针灸异常情况的发生原因...
中医美容技术绪论知识准备近年来,随着社会的发展,人们对美的要求突出表现在对自然美、健康美、整体美的需要上。中医美容技术以其微创、无创等优势,正在被越来越多的国内外求美者所接受,并随着进一步深入研究又日趋完善,越来越广泛地应用于美容保健行业中。一、中医美容的概念中医美容是指在中国传统文化背景下,将中国传统美学与现代美学相结合,以中医基础理论为指导,运用中医传统的美容技术和方药来维护、修复、改善及塑造...
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