节编号第二章 PN 结2.1 平衡 PN 结2.1.1 PN 结的形成与杂质分布合金法制造 PN结N-GeN-GeN-GeInIn+GeP-GeXjNA-NDOxjx)(,)(,jADjDAxxNNxxNN3P 型杂质SiO2光刻窗口P-SiN-SiN-SiN-Si氧化光刻扩散Xj扩散法制造 PN结NA-NDOxjx)(jjDAxxNN2.1 平衡 PN 结4NA-NDOxjxP-SiN-SiXj离子注入法制造 PN结2.1 平衡 PN 结52.1.2 PN 结的能带图空间电荷区自建电场P 区N 区平衡 PN 结的形成P 区和 N 区接触存在浓度差→扩散（复合）→出现空间电荷区→形成自建电场→漂移运动和扩散运动抵消→达到动态平衡2.1 平衡 PN 结62.1 平衡 PN 结P 区N 区cEvEiEFPEcEvEiEFNEcPEvPEiEFEcNEvNEiEFEDqUDqUPN 结平衡 PN 结的能带图 注意到费米能级是电子填充能级水平的标志，当两块半导体结...
