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模拟电子技术基础:BJT和FETPPT教学课件.pptx

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《模拟电子技术基础》教学课件第 3 章 BJT 和 FET双极型晶体管与场效应晶体管:结构、工作原理、伏安特性与参数主讲:模拟电子技术课程组适用于本科课堂教学第 3 章 BJT 和 FET本章目录2模拟电子技术基础13.1 引言半导体材料与器件 放大与开关特性23.2 BJT结构 放大原理 伏安特性 主要参数 PNP 型33.3 MOS 管结构与工作原理 伏安特性 主要参数 有源负载43.4 JFET结构与工作原理 伏安特性 主要参数53.5 BJT 和 FET 的比较对比分析 器件选用第 3 章 BJT 和 FET学习目标3模拟电子技术基础• 掌握 **BJT 的基本结构 ** :发射区、基区、集电区与发射结、集电结,理解结构特点与放大功能的联系• 掌握 **BJT 的放大原理 ** :载流子传输过程、电流分配关系 iE = iB ...

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