集成电路制造技术集成电路制造技术——原理与工艺薄膜制备JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 化学气相淀积化学气相淀积第六章 JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 6.1 CVD 概述6.2 CVD 工艺原理6.3 CVD 工艺方法6.4 二氧化硅薄膜的淀积6.5 氮化硅薄膜淀积6.6 多晶硅薄膜的淀积6.7 CVD 金属及金属化合物薄膜目 录CONTENTS一、 CVD 概述 • 化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 是把构成薄膜物质的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应，淀积成膜的工艺方法。• 淀积薄膜是非晶或多晶态，衬底不要求是单晶，只要是具有一定平整度，能经受淀积温度即可。衬底薄膜一、 CVD 概述 可以按照工艺特点、工艺温度、反应室压力、...
