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集成电路制造技术—原理与工艺(第3版):PVDPPT教学课件.pptx

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集成电路制造技术集成电路制造技术——原理与工艺物理气相淀积第七章 物理气相淀积JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 目 录CONTENTS7.1 PVD 概述7.2 真空系统及真空的获得7.3 真空蒸镀7.4 溅射7.5 PVD 金属及化合物薄膜一、 PVD 概述 PVD 是利用某种物理过程实现物质转移,将原子或分子由源(或靶)气相转移到硅衬底表面形成薄膜的过程。工艺特点: 相对于 CVD 而言,工艺温度低,衬底在室温 ~ 几百℃;工艺原理简单,能用于制备各种薄膜。但是,所制备薄膜的台阶覆盖特性,附着性,致密性都不如 CVD 薄膜。用途: 主要用于金属类薄膜,以及其它用 CVD 工艺难以淀积薄膜的制备。如金属电极,互连系统中的附着层、阻挡层合金及金属硅化物薄膜的制备一、 PVD 概述PVD 种类• 真空...

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