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集成电路制造技术—原理与工艺(第3版):离子注入PPT教学课件.pptx

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集成电路制造技术集成电路制造技术——原理与工艺离子注入第五章 离子注入JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 5.1 概述5.2 离子注入原理 5.3 注入离子在靶中的分布5.4 注入损伤5.5 退火 5.6 离子注入设备与工艺 5.7 离子注入的其它应用5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术目 录CONTENTS5.1 概述什么是离子注入: 将含杂质的化合物分子电离,在强电场作用下离子被加速射入靶材料的表层,以改变这种材料表层的性质。离子注入过程 用离子注入方法,将一定剂量的Ⅲ、Ⅵ族杂质注入到半导体晶片的特定区域,再进行退火,激活杂质,修复晶格损伤,从而获得所需的杂质浓度,形成 pn 结。5.2 离子注入原理 5.2.1与注入离子分布相关的几个概念射程 R : 离子在靶内移动的总路线长度;投影射...

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