微电子与集成电路设计导论第一章 绪论 时代跨越:人类文明历经石器、青铜与铁器时代的材料变革,如今正式步入以半导体为核心的“硅器时代”( Silicon Age ),硅成为重塑现代世界的关键材料。 核心引擎:微电子技术是时代进步的核心动力,其标志性产物——集成电路( IC ),更是信息产业的“心脏”,支撑着从智能终端到航天科技的万物互联。 学习蓝图:本课程将系统梳理微电子学的发展脉络、核心原理...
—— 第六章 新型微电子技术——微电子与集成电路设计导论SoC 技术:片上系统集成MEMS :微机电微型革命生物芯片:生命科学前沿纳电子:探索微观极限主要内容01SoC 技术(System on Chip)什么是 SoC ?SoC ( System on Chip ,片上系统)是将处理器、存储器、接口电路及系统软件等完整电子系统集成于单一芯片的集成电路。它不仅是晶体管的物理集成,更是 IP 核(知...
微电子与集成电路设计导论—— 第五章 集成电路基础——01 集成电路概述 02 数字集成电路03 双极型与 BiCMOS 04 模拟集成电路05 集成电路版图设计 06 专业设计工具07 大规模集成基础 08 现代设计方法学主要内容01集成电路概述 集成电路概述01 技术核心核心在于“微型化”与“系统化”。实现了信息处理、运算存储等复杂功能的高度集成,是电子设备的“大脑中枢”。02 产业价值作为现...
微电子与集成电路设计导论第二章 半导体物理基础 本章内容 半导体材料、基本晶体结构与共价键 能级与能带 本征载流子浓度 施主和受主 载流子漂移与扩散 产生与复合过程 连续性方程式单击此处输入标题2.1 半导体材料及其基本性质 材料电阻率 Ω·m导体金2.40×10−8银1.65 ×10−8铜1.75 ×10−8半导体硅3.16×103锗4.76×10−1绝缘体玻璃1011 ~ 1014橡胶1012...
微电子与集成电路设计导论第三章 半导体器件物理基础 本节内容 _ p-n 结热平衡状态下的 p-n 结 耗尽区耗尽层势垒电容 电流 - 电压特性结击穿 图 3.1.1 ( a ) PN 结的简化结构图;( b )理想均匀掺杂 PN 结的掺杂剖面( a )缓变结 ( b )线性缓变结图 3.1.2 缓变结示意图 3.1 PN结 当 p 型和 n 型半导体紧密结合时,由于在结上载流子存在大的浓度梯度,...
微电子与集成电路设计导论—— 第四章 半导体集成电路制造工艺——01 光刻02 掺杂技术03 制膜技术04 互连、隔离、封装主要内容01单晶生长与衬底制备半导体材料与硅的选择自然界中硅的含量极为丰富,但不能直接拿来用。因为硅在自然界中都是以化合物的形式存在的。一般生长单晶硅的技术称之为柴克拉斯基法,即从熔融的硅材料中生长单晶硅。半导体工业中所用的单晶硅大部分都是用此法制造。用于硅、锗、锑化铟等半导...
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