微电子与集成电路设计导论第三章 半导体器件物理基础 本节内容 _ p-n 结热平衡状态下的 p-n 结 耗尽区耗尽层势垒电容 电流 - 电压特性结击穿 图 3.1.1 （ a ） PN 结的简化结构图；（ b ）理想均匀掺杂 PN 结的掺杂剖面（ a ）缓变结 （ b ）线性缓变结图 3.1.2 缓变结示意图 3.1 PN结 当 p 型和 n 型半导体紧密结合时，由于在结上载流子存在大的浓度梯度，载流子会扩散．在 p 侧的空穴扩散进入 n 侧，而 n 侧的电子扩散进入 p 侧。(a) 形成结前均匀掺杂p型和n型半导体（b）热平衡时，在耗尽区的电场及p-n结能带图图3.4pnCEFEVECEFEVECEFEVECEFEVEEpn漂移扩散扩散漂移(a) 形成结前均匀掺杂p型和n型半导体（b）热平衡时，在耗尽区的电场及p-n结能带图图3.4pnCEFEVEC...
