集成电路制造技术集成电路制造技术——原理与工艺氧化与掺杂JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 热氧化第三章 热氧化JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 3.1 二氧化硅薄膜概述3.2 硅的热氧化3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备3.4 热氧化过程中杂质再分布3.5 氧化层的质量及检测3.6 热氧化技术及其工艺展望目 录CONTENTS一、二氧化硅薄膜概述1.1 二氧化硅结构桥联氧非桥联氧非晶 SiO2石英一、二氧化硅薄膜概述1.1 二氧化硅结构SiSiO2硅表面热氧化层 TEM 照片一、二氧化硅薄膜概述1.2 二氧化硅的性质及用途性质石英晶体非晶 SiO2 薄膜注密度 (g/cm3)2.22~2.2致密程度的标志。密度大表示致密程度高熔点 (℃)1732≈1500 软化软化点与致密度、掺杂有关电阻率 (Ω•cm)1016107~1015工艺温...
