集成电路制造技术集成电路制造技术——原理与工艺硅衬底制备JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 硅片制造第一章 硅片制造JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 1.4 硅晶体中的杂质1.5 切制硅片目 录CONTENTS1.1 硅晶体的结构特点1.2 单晶硅衬底制备1.3 硅晶体缺陷1.1 单晶硅 特性电学性质（室温）SiGeGaAs禁带宽度（ eV ）1.120.671.43禁带类型间接间接直接晶格电子迁移率（ cm2/V·s ）135039008600晶格空穴迁移率（ cm2/V·s ）4801900250本征载流子浓度（ cm-3 ）1.45×10102.4×10189.0×106本征电阻率（ Ω·cm ）2.3×10547108硅与锗、砷化镓电学性质比较硅作为最常用半导体材料的优势原料充分；表面易氧化；重量轻，密度 2.33g/cm3 ；热学特性好，热膨胀系数小，热导率高；...
