模拟集成电路全册配套精品完整课件 2衬底 Substrate第一步：衬底材料衬底应重掺杂，导电能力良好N WellP Well第二步：生成 N 阱与 P 阱MOS ： P 阱 PMOS ： N 阱分别进行离子注入，然后进行深扩散STI ： Shallow Trench Isolation浅沟隔离，将阱区、晶体管隔离开STI STI STI N WellP Well第三步：浅沟隔离STI STI STI N WellP Well防击穿注入 第四步：防击穿注入与阈值调整注入防击穿注入可以提高纵向击穿电压，减小背栅电阻STI STI STI N WellP Well阈值调整注入 第四步：掩埋层注入与阈值调整注入MOS 的自然阈值约 0V ， PMOS 的自然阈值约 1.2V通过阈值调整注入， NMOS 阈值约 0.6V ， PMOS 约 -0.6VSTI STI STI N WellP Well第五步：栅极氧化层和多晶...
